发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置

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	发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置
其他题名	发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置
	U·雷; K·赫恩; N·斯塔施; G·韦特; P·施洛特; R·施米特; J·施奈德
	2009-12-02
专利权人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
公开日期	2009-12-02
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种发射射线的半导体芯片和包含该半导体芯片的装置，该半导体芯片具有：一个半导体多层结构，其适合于从紫外、蓝和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；一个含有至少一种发光材料的发光变换层，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线。由此既能采用简单工艺方法进行大批量生产，又能在最大程度上保证器件的可再现性特征。
其他摘要	本发明涉及一种发射射线的半导体芯片和包含该半导体芯片的装置，该半导体芯片具有：一个半导体多层结构，其适合于从紫外、蓝和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；一个含有至少一种发光材料的发光变换层，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线。由此既能采用简单工艺方法进行大批量生产，又能在最大程度上保证器件的可再现性特征。
申请日期	1997-06-26
专利号	CN100565945C
专利状态	失效
申请号	CN200510091728.0
公开（公告）号	CN100565945C
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01L33/50
专利代理人	程天正 \| 王忠忠
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48279
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	U·雷,K·赫恩,N·斯塔施,等. 发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置. CN100565945C[P]. 2009-12-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100565945C.PDF（1386KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文