利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
其他题名	利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
	李艳平; 陶利; 高智威; 冉广照
	2017-01-11
专利权人	北京大学
公开日期	2017-01-11
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）在SOI片上，每一硅波导及其两侧设定区域外沉积金属层作为键合区；4）制备多量子阱光增益结构阵列；5）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的光增益区与硅波导阵列中对应硅波导的光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单、成熟，低成本，高可靠性的优点。
其他摘要	本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）在SOI片上，每一硅波导及其两侧设定区域外沉积金属层作为键合区；4）制备多量子阱光增益结构阵列；5）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的光增益区与硅波导阵列中对应硅波导的光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单、成熟，低成本，高可靠性的优点。
申请日期	2014-01-09
专利号	CN103812001B
专利状态	授权
申请号	CN201410010627.5
公开（公告）号	CN103812001B
IPC 分类号	H01S5/187 \| H01S5/125
专利代理人	陈美章
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48265
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李艳平,陶利,高智威,等. 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法. CN103812001B[P]. 2017-01-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103812001B.PDF（2544KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文