Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 | |
| 其他题名 | 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 |
| 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 | |
| 2008-03-05 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2008-03-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。 |
| 其他摘要 | 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。 |
| 申请日期 | 2004-07-20 |
| 专利号 | CN100373534C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410069295.4 |
| 公开（公告）号 | CN100373534C |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L21/02 | H01L33/00 | H01S5/34 | B82B3/00 | H01L33/06 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48261 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈涌海,张春玲,崔草香,等. 在解理面上制作半导体纳米结构的方法. CN100373534C[P]. 2008-03-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100373534C.PDF（288KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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