Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法 | |
| 其他题名 | 高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法 |
| 杨勇 | |
| 2015-05-13 | |
| 专利权人 | 杨勇 |
| 公开日期 | 2015-05-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，制造方法包括以下步骤：①、首先取碳化硅衬底，并在所述碳化硅衬底上制作氮化镓LED晶体外延片；②、检测氮化镓LED晶体外延片的表面和厚度；③、采用扩晶机将氮化镓LED晶体外延片分割成多个重复的单元；④、点低衰减的绝缘胶，并焊线；⑤、在氮化镓LED晶体外延片上点抗光衰原胶；⑥、灌注封装胶；⑦、脱模后检测分光；⑧、包装入库。本发明制造方法操作方便、实用，制得的LED发光二极管发光效率高，光输出亮度大，可靠性高，寿命长，低衰减。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，制造方法包括以下步骤：①、首先取碳化硅衬底，并在所述碳化硅衬底上制作氮化镓LED晶体外延片；②、检测氮化镓LED晶体外延片的表面和厚度；③、采用扩晶机将氮化镓LED晶体外延片分割成多个重复的单元；④、点低衰减的绝缘胶，并焊线；⑤、在氮化镓LED晶体外延片上点抗光衰原胶；⑥、灌注封装胶；⑦、脱模后检测分光；⑧、包装入库。本发明制造方法操作方便、实用，制得的LED发光二极管发光效率高，光输出亮度大，可靠性高，寿命长，低衰减。 |
| 申请日期 | 2012-06-06 |
| 专利号 | CN102709412B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201210183484.9 |
| 公开（公告）号 | CN102709412B |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/00 | H01L33/02 | H01L33/56 |
| 专利代理人 | 谭一兵 | 曾云腾 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48228 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杨勇 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨勇. 高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法. CN102709412B[P]. 2015-05-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102709412B.PDF（368KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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