Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化镓基化合物半导体器件 | |
| 其他题名 | 氮化镓基化合物半导体器件 |
| 李成男; 白好善; 孙重坤; 司空坦 | |
| 2009-09-09 | |
| 专利权人 | 三星电子株式会社 |
| 公开日期 | 2009-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1-x-yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。 |
| 其他摘要 | 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1-x-yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。 |
| 申请日期 | 2005-11-14 |
| 专利号 | CN100539212C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510124621 |
| 公开（公告）号 | CN100539212C |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L31/00 | H01S5/00 | H01L33/06 | H01L33/16 | H01L33/32 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48227 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李成男,白好善,孙重坤,等. 氮化镓基化合物半导体器件. CN100539212C[P]. 2009-09-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100539212C.PDF（400KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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