Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体结构及其形成方法 | |
| 其他题名 | 一种半导体结构及其形成方法 |
| 陈飞 | |
| 2016-08-03 | |
| 专利权人 | 比亚迪股份有限公司 |
| 公开日期 | 2016-08-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提出了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一类型氮化物层；形成在第一类型氮化物层之上的量子点结构，其中，量子点结构包括闪锌矿InxGa(1‑x)N量子点，其中，0≤x≤1；以及形成在量子点结构之上的第二类型氮化物层。该半导体结构包括闪锌矿氮化物量子点结构，消除了极化效应，提高了量子效率。 |
| 其他摘要 | 本发明提出了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一类型氮化物层；形成在第一类型氮化物层之上的量子点结构，其中，量子点结构包括闪锌矿InxGa(1‑x)N量子点，其中，0≤x≤1；以及形成在量子点结构之上的第二类型氮化物层。该半导体结构包括闪锌矿氮化物量子点结构，消除了极化效应，提高了量子效率。 |
| 申请日期 | 2011-12-29 |
| 专利号 | CN103187498B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201110453892 |
| 公开（公告）号 | CN103187498B |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/18 | H01L33/32 | H01L33/00 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 张大威 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48208 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 比亚迪股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈飞. 一种半导体结构及其形成方法. CN103187498B[P]. 2016-08-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103187498B.PDF（169KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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