AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法

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	AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法
其他题名	AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法
	张迪; 赵立萍; 孙文军; 孙京南; 李孟洋; 支洪武; 李娟
	2013-07-31
专利权人	哈尔滨师范大学
公开日期	2013-07-31
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法，它涉及太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法。方法：一、确定一维有效质量薛定谔方程中所需的参数；二、求解薛定谔方程；三、计算ΔE21、ΔE32、和ΔE1′3；四、判断；五、搜索最佳结构；六、输出结构。本发明的有源区由n个周期构成，每个周期由三个势垒层和三个势阱层构成。本发明能够应用于太赫兹量子级联激光器有源区的设计上。本发明的优点在于充分利用纵向光学声子散射原理与隧穿原理，同时可以搜索出最佳的有源区结构。
其他摘要	AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法，它涉及太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法。方法：一、确定一维有效质量薛定谔方程中所需的参数；二、求解薛定谔方程；三、计算ΔE21、ΔE32、和ΔE1′3；四、判断；五、搜索最佳结构；六、输出结构。本发明的有源区由n个周期构成，每个周期由三个势垒层和三个势阱层构成。本发明能够应用于太赫兹量子级联激光器有源区的设计上。本发明的优点在于充分利用纵向光学声子散射原理与隧穿原理，同时可以搜索出最佳的有源区结构。
申请日期	2011-09-30
专利号	CN102508940B
专利状态	失效
申请号	CN201110293435.6
公开（公告）号	CN102508940B
IPC 分类号	G06F17/50 \| H01S5/343
专利代理人	金永焕
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48192
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	哈尔滨师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张迪,赵立萍,孙文军,等. AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法. CN102508940B[P]. 2013-07-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102508940B.PDF（684KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文