p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法

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	p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
其他题名	p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
	杜国同; 夏晓川; 赵旺; 梁红伟; 张宝林
	2013-07-10
专利权人	圆融光电科技股份有限公司
公开日期	2013-07-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
其他摘要	本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
申请日期	2010-10-09
专利号	CN102263370B
专利状态	失效
申请号	CN201110173444.1
公开（公告）号	CN102263370B
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/20 \| H01S5/10
专利代理人	张景林 \| 刘喜生
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48176
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	圆融光电科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	杜国同,夏晓川,赵旺,等. p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法. CN102263370B[P]. 2013-07-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102263370B.PDF（1039KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文