半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法
其他题名	半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法
	倉本大
	2012-10-01
专利权人	新力股份有限公司
公开日期	2012-10-01
授权国家	中国台湾
专利类型	授权发明
摘要	本發明揭示一種半導體雷射，其包括：一第一導電型的一第一包覆層；一在該第一包覆層之上的作用層；一在該作用層之上的飽和吸收層；及在該飽和吸收層之上的一第二導電型的一第二包覆層；至少該第二包覆層具有一對相互平行的溝槽，其間具有一預定間隔，以便在其間形成一脊帶。在該半導體雷射中，從該等溝槽之底部表面至該作用層之一上表面之距離係不小於105 nm，而從該等溝槽之該等底部表面至該飽和吸收層之一上表面之距離係不超過100 nm。
其他摘要	本發明揭示一種半導體雷射，其包括：一第一導電型的一第一包覆層；一在該第一包覆層之上的作用層；一在該作用層之上的飽和吸收層；及在該飽和吸收層之上的一第二導電型的一第二包覆層；至少該第二包覆層具有一對相互平行的溝槽，其間具有一預定間隔，以便在其間形成一脊帶。在該半導體雷射中，從該等溝槽之底部表面至該作用層之一上表面之距離係不小於105 nm，而從該等溝槽之該等底部表面至該飽和吸收層之一上表面之距離係不超過100 nm。
申请日期	2007-04-16
专利号	TWI373895B
专利状态	授权
申请号	TW096113271
公开（公告）号	TWI373895B
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L33/00 \| G11B7/127
专利代理人	陳長文
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48154
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	新力股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	倉本大. 半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法. TWI373895B[P]. 2012-10-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TWI373895B.PDF（1159KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文