宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法

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	宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
其他题名	宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
	刘宁; 金鹏; 王占国
	2009-02-04
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2009-02-04
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化铝镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。
其他摘要	一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化铝镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。
申请日期	2006-03-16
专利号	CN100459045C
专利状态	失效
申请号	CN200610064883.8
公开（公告）号	CN100459045C
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L33/00 \| H01L31/18 \| H01S5/343 \| H01L33/06
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48141
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘宁,金鹏,王占国. 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法. CN100459045C[P]. 2009-02-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100459045C.PDF（442KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文