Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体P型欧姆电极 | |
| 其他题名 | 一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体P型欧姆电极 |
| 王国栋; 曹均凯; 谢春梅 | |
| 2006-12-13 | |
| 专利权人 | 深圳飞通光电子技术有限公司 |
| 公开日期 | 2006-12-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种III－V族化合物半导体P型欧姆电极，其特征在于，自半导体衬底(1)依次向上包括：第一层半导体表面锌合金层(6)；第二层锌膜(4)；第三层金膜(5)；第四层铬膜(7)；第五层金膜(8)。由于位于半导体衬底表面设有金属Zn的重掺杂层锌合金层(6)，这样既可以提高金属电极的可靠性，又可减小欧姆电阻，从而能有效地降低芯片的正向压降。在制作时，工艺简单，成本低。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种III－V族化合物半导体P型欧姆电极，其特征在于，自半导体衬底(1)依次向上包括：第一层半导体表面锌合金层(6)；第二层锌膜(4)；第三层金膜(5)；第四层铬膜(7)；第五层金膜(8)。由于位于半导体衬底表面设有金属Zn的重掺杂层锌合金层(6)，这样既可以提高金属电极的可靠性，又可减小欧姆电阻，从而能有效地降低芯片的正向压降。在制作时，工艺简单，成本低。 |
| 申请日期 | 2005-10-15 |
| 专利号 | CN2847534Y |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200520065938.8 |
| 公开（公告）号 | CN2847534Y |
| IPC 分类号 | H01L31/0224 | H01L33/00 | H01L29/45 | H01S5/00 | H01L33/36 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48099 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳飞通光电子技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王国栋,曹均凯,谢春梅. 一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体P型欧姆电极. CN2847534Y[P]. 2006-12-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN2847534Y.PDF（229KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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