一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法

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	一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法
其他题名	一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法
	唐祖荣; 周勇; 陈文胜; 段利华; 吴天伟; 田坤
	2017-02-15
专利权人	中国电子科技集团公司第四十四研究所
公开日期	2017-02-15
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。
其他摘要	本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。
申请日期	2014-10-10
专利号	CN104242056B
专利状态	授权
申请号	CN201410531269.2
公开（公告）号	CN104242056B
IPC 分类号	H01S5/32
专利代理人	刘佳
代理机构	北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48060
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第四十四研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	唐祖荣,周勇,陈文胜,等. 一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法. CN104242056B[P]. 2017-02-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104242056B.PDF（147KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文