Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 | |
| 其他题名 | 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 |
| 中村淳一; 佐佐木和明 | |
| 2007-11-07 | |
| 专利权人 | 厦门三安光电有限公司 |
| 公开日期 | 2007-11-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明涉及一种化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备。III-V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III-V族化合物半导体层；在第一III-V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备。III-V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III-V族化合物半导体层；在第一III-V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。 |
| 申请日期 | 2004-01-08 |
| 专利号 | CN100347821C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200410002996.6 |
| 公开（公告）号 | CN100347821C |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01L21/205 | H01L33/00 | H01S5/00 | C30B25/02 | C30B29/40 | H01L33/10 | H01L33/12 | H01L33/30 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 李玲 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48039 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门三安光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村淳一,佐佐木和明. 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备. CN100347821C[P]. 2007-11-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100347821C.PDF（1646KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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