Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种晶体管激光器及其制作方法 | |
| 其他题名 | 一种晶体管激光器及其制作方法 |
| 梁松; 朱洪亮 | |
| 2017-05-10 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2017-05-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；器件基极层材料与有源层材料间的电流阻挡层可以作为发射极波导刻蚀的停止层，从而可以高精度的控制波导高度。通过选择性腐蚀掉发射极波导下的电流阻挡层材料，形成了对载流子侧向扩散的限制，有利于减少载流子在有源区侧壁的非辐射复合。这些措施可明显提高器件性能。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；器件基极层材料与有源层材料间的电流阻挡层可以作为发射极波导刻蚀的停止层，从而可以高精度的控制波导高度。通过选择性腐蚀掉发射极波导下的电流阻挡层材料，形成了对载流子侧向扩散的限制，有利于减少载流子在有源区侧壁的非辐射复合。这些措施可明显提高器件性能。 |
| 申请日期 | 2014-12-11 |
| 专利号 | CN104485578B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410764445.7 |
| 公开（公告）号 | CN104485578B |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 宋焰琴 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47986 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁松,朱洪亮. 一种晶体管激光器及其制作方法. CN104485578B[P]. 2017-05-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104485578B.PDF（83KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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