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单片集成式多波长半导体锁模激光器
其他题名单片集成式多波长半导体锁模激光器
刘松涛; 张希林; 陆丹; 张瑞康; 吉晨; 王圩
2017-10-03
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2017-10-03
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列,相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中,SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益,通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率;AWG主要起到选模及复用不同波长的功能;SA实现被动锁模或者混合锁模。
其他摘要本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列,相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中,SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益,通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率;AWG主要起到选模及复用不同波长的功能;SA实现被动锁模或者混合锁模。
申请日期2014-11-04
专利号CN104617486B
专利状态授权
申请号CN201410613588.8
公开(公告)号CN104617486B
IPC 分类号H01S5/065
专利代理人宋焰琴
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47973
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘松涛,张希林,陆丹,等. 单片集成式多波长半导体锁模激光器. CN104617486B[P]. 2017-10-03.
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