耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件

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	耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件
其他题名	耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件
	熊兵; 朱军浩; 赵湘楠; 孙长征; 罗毅
	2014-09-03
专利权人	清华大学
公开日期	2014-09-03
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。
其他摘要	本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。
申请日期	2011-09-16
专利号	CN102419460B
专利状态	授权
申请号	CN201110276139
公开（公告）号	CN102419460B
IPC 分类号	G02B6/122 \| G02B6/13 \| H01S5/22
专利代理人	王莹
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47940
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	熊兵,朱军浩,赵湘楠,等. 耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件. CN102419460B[P]. 2014-09-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102419460B.PDF（544KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文