制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法

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	制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
其他题名	制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
	罗帅; 季海铭; 杨涛
	2013-09-18
专利权人	江苏华兴激光科技有限公司
公开日期	2013-09-18
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从3-7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。
其他摘要	一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从3-7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。
申请日期	2012-05-15
专利号	CN102684070B
专利状态	授权
申请号	CN201210150154.X
公开（公告）号	CN102684070B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47913
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	江苏华兴激光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	罗帅,季海铭,杨涛. 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法. CN102684070B[P]. 2013-09-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102684070B.PDF（366KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文