Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体器件制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体器件制造方法 |
| 木户口勋; 石桥明彦; 粂雅博; 伴雄三郎; 上山智 | |
| 2004-10-06 | |
| 专利权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 公开日期 | 2004-10-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。 |
| 其他摘要 | 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。 |
| 申请日期 | 1999-09-16 |
| 专利号 | CN1170347C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN99810355.1 |
| 公开（公告）号 | CN1170347C |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/30 | H01L33/00 | C30B25/14 | H01L21/205 |
| 专利代理人 | 汪惠民 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47907 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木户口勋,石桥明彦,粂雅博,等. 氮化物半导体器件制造方法. CN1170347C[P]. 2004-10-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1170347C.PDF（1104KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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