一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器

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	一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器
其他题名	一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器
	李林; 张帆; 马晓辉; 李占国; 高欣; 曲铁; 薄报学; 刘国军
	2013-02-06
专利权人	长春理工大学
公开日期	2013-02-06
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10)；通过优化设计有源层6，使量子阱带间跃迁产生的线宽展宽因子与自由载流子吸收和带隙收缩产生的线宽展宽因子相互抵消，实现了低线宽，改善了量子阱激光器光束的质量。本发明的激光器的有源层为InxGa1-xAs材料，x＝0.33，阱宽厚度为3～5nm，中心波长λ＝980nm～1036nm，线宽较量子阱激光器线宽降低了3个数量级。可以用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学研究等领域。
其他摘要	本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10)；通过优化设计有源层6，使量子阱带间跃迁产生的线宽展宽因子与自由载流子吸收和带隙收缩产生的线宽展宽因子相互抵消，实现了低线宽，改善了量子阱激光器光束的质量。本发明的激光器的有源层为InxGa1-xAs材料，x＝0.33，阱宽厚度为3～5nm，中心波长λ＝980nm～1036nm，线宽较量子阱激光器线宽降低了3个数量级。可以用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学研究等领域。
申请日期	2011-08-01
专利号	CN102332681B
专利状态	失效
申请号	CN201110217210.2
公开（公告）号	CN102332681B
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/343
专利代理人	马守忠 \| 宋天平
代理机构	长春科宇专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47901
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李林,张帆,马晓辉,等. 一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器. CN102332681B[P]. 2013-02-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102332681B.PDF（706KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文