Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module

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	Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module
其他题名	Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module
	KITATANI, TAKESHI; OKAMOTO, KAORU; NAKAHARA, KOUJI
	2019-06-04
专利权人	LUMENTUM JAPAN, INC.
公开日期	2019-06-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An optical semiconductor device includes an InP substrate; an active layer disposed above the InP substrate; a n-type semiconductor layer disposed below the active layer; and a p-type clad layer disposed above the active layer, wherein the p-type clad layer includes one or more p-type In1-xAlxP layers, the Al composition x of each of the one or more p-type In1-xAlxP layers is equal to or greater than a value corresponding to the doping concentration of a p-type dopant, and the absolute value of the average strain amount of the whole of the p-type clad layer is equal to or less than the absolute value of a critical strain amount obtained by Matthews' relational expression, using the entire layer thickness of the whole of the p-type clad layer as a critical layer thickness.
其他摘要	光学半导体器件包括InP衬底;设置在InP衬底上方的有源层;设置在有源层下方的n型半导体层;和设置在有源层上方的p型覆层，其中p型覆层包括一个或多个p型In 1-x Al x P层，一个或多个p型In 1-x Al x P层中的每一个的Al组分x等于或大于对应于掺杂浓度的值。 p型掺杂剂，整个p型覆层的平均应变量的绝对值等于或小于Matthews关系式得到的临界应变量的绝对值，使用整个层整个p型覆层的厚度作为临界层厚度。
申请日期	2018-06-04
专利号	US10312665
专利状态	授权
申请号	US15/996562
公开（公告）号	US10312665
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S5/22 \| H01S5/343 \| H01S5/042 \| H01S5/02 \| H01S5/30 \| H01S5/34 \| H01S5/12 \| H01S5/32
专利代理人	-
代理机构	MATTINGLY & MALUR, PC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47870
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LUMENTUM JAPAN, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	KITATANI, TAKESHI,OKAMOTO, KAORU,NAKAHARA, KOUJI. Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module. US10312665[P]. 2019-06-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US10312665.PDF（1620KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文