Electron beam pumped non-c-plane UV emitters

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	Electron beam pumped non-c-plane UV emitters
其他题名	Electron beam pumped non-c-plane UV emitters
	WUNDERER, THOMAS; JOHNSON, NOBLE M.
	2018-11-20
专利权人	PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED
公开日期	2018-11-20
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An ultraviolet (UV) radiation emitting device includes an epitaxial heterostructure comprising an AlGaInN active region. The AlGaInN active region includes one or more quantum well structures with Al content greater than about 50% and having a non-c-plane crystallographic growth orientation. The AlGaInN active region is configured to generate UV radiation in response to excitation by an electron beam generated by an electron beam pump source.
其他摘要	紫外（UV）辐射发射装置包括外延异质结构，该外延异质结构包括AlGaInN有源区。 AlGaInN有源区包括一个或多个量子阱结构，其Al含量大于约50％并且具有非c面晶体生长取向。 AlGaInN有源区被配置为响应于由电子束泵浦源产生的电子束的激发而产生UV辐射。
申请日期	2017-05-19
专利号	US10135227
专利状态	授权
申请号	US15/600569
公开（公告）号	US10135227
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/32 \| H01S5/343 \| H01S5/04 \| H01S5/125
专利代理人	-
代理机构	HOLLINGSWORTH DAVIS, LLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47858
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED
推荐引用方式 GB/T 7714	WUNDERER, THOMAS,JOHNSON, NOBLE M.. Electron beam pumped non-c-plane UV emitters. US10135227[P]. 2018-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US10135227.PDF（1684KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文