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Interband cascade light emitting devices
其他题名Interband cascade light emitting devices
YANG, RUI Q.; GUPTA, JAMES A.
2018-07-24
专利权人THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF OKLAHOMA
公开日期2018-07-24
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要An interband cascade (IC) light emitting device comprising a plurality of interband cascade stages, wherein at least one of the IC stages is constructed to have an electron injector made of one or more QWs, a type-I quantum well (QW) active region, a barrier layer positioned between the active region and the electron injector, a hole injector made of one or more QWs, and a barrier layer positioned between the active region and the hole injector. In at least one embodiment, a type II heterointerface layer is between the electron injector and an adjacent hole injector. The well layer of the type-I QW active region has compressive strain, while the barrier layers which flank the type-I QW active region comprise tensile strain layers. In certain embodiments, the electron injector and the hole injector comprise tensile strained layers.
其他摘要带间级联(IC)的发光装置,其包括多个带间级联级,其中所述IC级中的至少一个被构造成具有由一种或多种的QW的电子喷射器,I型量子阱(QW)有源区,位于有源区和电子注入器之间的阻挡层,由一个或多个QW制成的空穴注入器,以及位于有源区和空穴注入器之间的阻挡层。在至少一个实施例中,II型异质界面层位于电子注入器和相邻的空穴注入器之间。 I型QW有源区的阱层具有压缩应变,而位于I型QW有源区侧面的势垒层包括拉伸应变层。在某些实施例中,电子注入器和空穴注入器包括拉伸应变层。
申请日期2016-10-04
专利号US10033160
专利状态授权
申请号US15/285099
公开(公告)号US10033160
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/34 | H01S5/183 | H01S5/343
专利代理人RODOLPH, GRANT | POLK, JONATHAN K.
代理机构CONLEY ROSE, P.C.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47852
专题半导体激光器专利数据库
作者单位THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF OKLAHOMA
推荐引用方式
GB/T 7714
YANG, RUI Q.,GUPTA, JAMES A.. Interband cascade light emitting devices. US10033160[P]. 2018-07-24.
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