Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Interband cascade light emitting devices | |
其他题名 | Interband cascade light emitting devices |
YANG, RUI Q.; GUPTA, JAMES A. | |
2018-07-24 | |
专利权人 | THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF OKLAHOMA |
公开日期 | 2018-07-24 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | An interband cascade (IC) light emitting device comprising a plurality of interband cascade stages, wherein at least one of the IC stages is constructed to have an electron injector made of one or more QWs, a type-I quantum well (QW) active region, a barrier layer positioned between the active region and the electron injector, a hole injector made of one or more QWs, and a barrier layer positioned between the active region and the hole injector. In at least one embodiment, a type II heterointerface layer is between the electron injector and an adjacent hole injector. The well layer of the type-I QW active region has compressive strain, while the barrier layers which flank the type-I QW active region comprise tensile strain layers. In certain embodiments, the electron injector and the hole injector comprise tensile strained layers. |
其他摘要 | 带间级联(IC)的发光装置,其包括多个带间级联级,其中所述IC级中的至少一个被构造成具有由一种或多种的QW的电子喷射器,I型量子阱(QW)有源区,位于有源区和电子注入器之间的阻挡层,由一个或多个QW制成的空穴注入器,以及位于有源区和空穴注入器之间的阻挡层。在至少一个实施例中,II型异质界面层位于电子注入器和相邻的空穴注入器之间。 I型QW有源区的阱层具有压缩应变,而位于I型QW有源区侧面的势垒层包括拉伸应变层。在某些实施例中,电子注入器和空穴注入器包括拉伸应变层。 |
申请日期 | 2016-10-04 |
专利号 | US10033160 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US15/285099 |
公开(公告)号 | US10033160 |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/34 | H01S5/183 | H01S5/343 |
专利代理人 | RODOLPH, GRANT | POLK, JONATHAN K. |
代理机构 | CONLEY ROSE, P.C. |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47852 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF OKLAHOMA |
推荐引用方式 GB/T 7714 | YANG, RUI Q.,GUPTA, JAMES A.. Interband cascade light emitting devices. US10033160[P]. 2018-07-24. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US10033160.PDF(1110KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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