Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Low resistance vertical cavity light source with PNPN blocking | |
| 其他题名 | Low resistance vertical cavity light source with PNPN blocking |
| DEPPE, DENNIS G. | |
| 2018-07-24 | |
| 专利权人 | UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. |
| 公开日期 | 2018-07-24 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor vertical light source includes an upper mirror and a lower mirror. An active region is between the upper and lower mirror. The light source includes an inner mode confinement region and outer current blocking region. The outer current blocking region includes a common epitaxial layer that includes an epitaxially regrown interface which is between the active region and upper mirror, and a conducting channel including acceptors is in the inner mode confinement region. The current blocking region includes a first impurity doped region with donors between the epitaxially regrown interface and active region, and a second impurity doped region with acceptors is between the first doped region and lower mirror. The outer current blocking region provides a PNPN current blocking region that includes the upper mirror or a p-type layer, first doped region, second doped region, and lower mirror or an n-type layer. |
| 其他摘要 | 半导体垂直光源包括上镜和下镜。活动区域位于上镜和下镜之间。光源包括内模式限制区域和外部电流阻挡区域。外部电流阻挡区域包括公共外延层，该公共外延层包括位于有源区域和上部镜子之间的外延再生长界面，并且包括受主的导电通道位于内部模式限制区域中。电流阻挡区域包括第一杂质掺杂区域，其中在外延再生长界面和有源区域之间具有施主，并且具有受主的第二杂质掺杂区域在第一掺杂区域和下部反射镜之间。外部电流阻挡区域提供PNPN电流阻挡区域，其包括上部镜子或p型层，第一掺杂区域，第二掺杂区域和下部镜子或n型层。 |
| 申请日期 | 2017-07-12 |
| 专利号 | US10033156 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US15/648260 |
| 公开（公告）号 | US10033156 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/323 | H01S5/20 | H01S5/30 | H01S5/183 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | JETTER & ASSOCIATES, P.A. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47851 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | DEPPE, DENNIS G.. Low resistance vertical cavity light source with PNPN blocking. US10033156[P]. 2018-07-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US10033156.PDF（1236KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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