半導体レーザ装置および光通信システム

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	半導体レーザ装置および光通信システム
其他题名	半導体レーザ装置および光通信システム
	岡井誠; 魚見和久; 辻伸二; 坂野伸治; 茅野直樹
	1998-09-11
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1998-11-18
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor laser device capable of varying large in a wavelength by a method wherein a feedback region provided with an optical waveguide region which guides the light from an active layer and a perturvation part with a ununiform period distribution, and a means which changes the strength of an optical coupling of the light which propagates in the feedback region with a part of the perturvation part are provided. CONSTITUTION:A substrate 101, an active region 112, formed on the substrate 101, provided with an active layer 103 which emits light by injected carriers, a feedback region 113 provided with an optical waveguide region 105 which guides the light from the active layer 103 and a perturvation part 111 with a ununiform period distribution, and a means 107 which changes the strength of an optical coupling of the light that propagates in the feedback region 113 with a part of the perturvation part 11 are provided. For instance, the optical waveguide region 105 is formed of a structure comparatively large in a refractive index, and the perturvation part 111 is formed into a diffraction grating which changes gradually in periods. And, two or more isolating electrodes 107 are provided as a means which changes the strength of an optical coupling of the light that propagates inside the feedback region 113 with a partial region of the perturvation part 11
其他摘要	目的：通过一种方法获得一种能够在波长上变化较大的半导体激光器件，其中反馈区域设置有光波导区域，该光波导区域引导来自有源层的光和具有不均匀周期分布的扰动部分，以及改变了在反馈区域中传播的光与光学部分的一部分的光学耦合的强度。组成：基板101，有源区112，形成在基板101上，设有有源层103，有源层103通过注入的载流子发光，反馈区域113设有光波导区域105，光波导区域105引导来自有源层103的光并且，提供具有不均匀周期分布的扰动部分111，以及改变在反馈区域113中传播的光与光学部分11的一部分的光学耦合强度的装置107。例如，光波导区域105由折射率相对较大的结构形成，并且扰动部分111形成为周期逐渐变化的衍射光栅。并且，提供两个或更多个隔离电极107作为改变在反馈区域113内部传播的光与光学部分111的部分区域的光学耦合强度的装置。
申请日期	1988-10-03
专利号	JP2825508B2
专利状态	失效
申请号	JP1988247350
公开（公告）号	JP2825508B2
IPC 分类号	H01S \| H01S3/082 \| H01S5/0625 \| H01S5/10 \| H01S3/08 \| H01S5/12 \| H01S5/042 \| H01S3/081 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S5/125 \| H01S3/18
专利代理人	高橋明夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47818
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	岡井誠,魚見和久,辻伸二,等. 半導体レーザ装置および光通信システム. JP2825508B2[P]. 1998-09-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2825508B2.PDF（85KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文