UN CONJUNTO DE LASER CON UNA ESTRUCTURA DE LASER DE SEMICONDUCTORES

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	UN CONJUNTO DE LASER CON UNA ESTRUCTURA DE LASER DE SEMICONDUCTORES
其他题名	UN CONJUNTO DE LASER CON UNA ESTRUCTURA DE LASER DE SEMICONDUCTORES
	WESTBROOK LESLIE DAVID
	1988-07-01
专利权人	BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY
公开日期	1988-07-01
授权国家	西班牙
专利类型	发明申请
摘要	UN COMPUESTO DE LASER CON UNA ESTRUCTURA DE LASER DE SEMICONDUCTORES EN QUE SU ANCHURA DE LINEA DE EMISION PUEDE REDUCIRSE HACIENDOLO FUNCIONAR A UNA LONGITUD DE ONDA MENOR QUE LA LONGITUD DE ONDA DE GANANCIA MAXIMA A LA CORRIENTE UMBRAL, LMAX. ESTE CONJUNTO COMPRENDE UN LASER DE GUIA DE ONDAS TABICADA PROVISTO DE UNA REJILLA DE DIFRACCION DE RETROALIMENTACION DISTRIBUIDA (DFB), 9. EL PERIODO DE LA REJILLA DE REFRACCION, 9, SE SELECCIONA PARA DAR AL LASER UNA LONGITUD DE ONDA DE EMISION PREDETERMINADA QUE ES MAS CORTA QUE LMAX. LA INVENCION ENCUENTRA APLICACION EN COMUNICACIONES OPTICAS, PARTICULARMENTE EN SISTEMAS COHERENTES.
其他摘要	激光复合材料具有激光器结构的半导体，其发射线宽度可以通过使其工作在波长比最大增益波长达到阈值电流LMAX而降低。这套装置包含一个分布式波导激光器，提供分布式反馈衍射栅格（DFB），9。折射栅格周期9，选择放置激光默认发射波长时，这是一个错误的发射波长。比LMAX差。本发明可应用于光通信，特别是在相干系统中。
申请日期	1986-09-05
专利号	ES2001941A6
专利状态	失效
申请号	ES1986001670
公开（公告）号	ES2001941A6
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S5/125 \| H01S5/14 \| H01S5/22 \| H01S3/19 \| G02B6/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47761
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY
推荐引用方式 GB/T 7714	WESTBROOK LESLIE DAVID. UN CONJUNTO DE LASER CON UNA ESTRUCTURA DE LASER DE SEMICONDUCTORES. ES2001941A6[P]. 1988-07-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
ES2001941A6.PDF（154KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文