Structure of high power edge emission laser diode

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	Structure of high power edge emission laser diode
其他题名	Structure of high power edge emission laser diode
	LU, TIEN-CHANG; CHEN, CHYONG-HUA
	2009-08-18
专利权人	NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
公开日期	2009-08-18
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A structure of high power edge emission laser diode that has plural mode extension sublayers with a chirp periodic distribution is provided. The Near Field Pattern (NFP) is an L shape, and the high intensity portion is nicely overlapped with the multi quantum wells. Furthermore, the low intensity portion will extend to the n-type cladding as it can as possible. Accordingly, the optical power density on the mirror surface of the high power edge emission laser diode is lower down and the vertical divergence angle is decreased, so as to prolong its lifetime.
其他摘要	提供了一种高功率边缘发射激光二极管的结构，其具有多个具有啁啾周期分布的模式扩展子层。近场图案（NFP）是L形，并且高强度部分与多量子阱很好地重叠。此外，低强度部分将尽可能地延伸到n型包层。因此，高功率边缘发射激光二极管的镜面上的光功率密度降低，垂直发散角减小，从而延长其寿命。
申请日期	2007-11-30
专利号	US7577175
专利状态	授权
申请号	US11/987431
公开（公告）号	US7577175
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	ROSENBERG,KLEIN & LEE
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47743
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
推荐引用方式 GB/T 7714	LU, TIEN-CHANG,CHEN, CHYONG-HUA. Structure of high power edge emission laser diode. US7577175[P]. 2009-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7577175.PDF（354KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文