Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
光パルス発生器 | |
其他题名 | 光パルス発生器 |
井上 宏明; 坂野 伸治; 辻 伸二; 大石 昭夫; 平尾 元尚; 松村 宏善 | |
1996-06-27 | |
专利权人 | 株式会社日立製作所 |
公开日期 | 1996-09-11 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To enable a compact and stable ultrashort pulse generator in high frequency exceeding 10 GHz to be manufactured by a method wherein a resonator structure is formed of a branched optical waveguide to be provided with a region for controlling optical phase and/or absorption loss. CONSTITUTION:An optical waveguide 15 comprising InGaAs as an outer resonator is monolithically formed of III-V compound semiconductor material similar to that of a semiconductor laser 1 on an InP substrate 14 with other elements comprising InP. This outer resonator 15 is fitted with electrodes 4, 5 to be impressed with electric field or to flow current while a reflecting end of this outer resonator 15 is fitted with a reflecting coating 9. The phase in the outer resonator 15, i.e., the refractive index and absorption loss is controlled by changing the refractive index and/or absorption loss of material by means of impressing electric field or flowing current through the electrodes 4, 5. Through these procedures, mode-synchronized ultrashort optical pulse beams in repeating frequency beyond 10 GHz can be emitted easily and stably only by means of impressing the electrodes of outer resonator with outer electric control signals. |
其他摘要 | 目的:通过一种方法制造超过10GHz的高频紧凑且稳定的超短脉冲发生器,其中谐振器结构由分支光波导形成,以提供用于控制光学相位和/或吸收损耗的区域。组成:包含InGaAs作为外部谐振器的光波导15由III-V族化合物半导体材料单片形成,类似于InP衬底14上的半导体激光器1,其他元件包括InP。该外部谐振器15装配有电极4,5,以施加电场或流动电流,同时该外部谐振器15的反射端装配有反射涂层9.外部谐振器15中的相位,即折射通过施加电场或流过电极4,5的电流来改变材料的折射率和/或吸收损耗来控制折射率和吸收损耗。通过这些程序,重复频率超过10的模式同步超短光脉冲光束仅通过用外部电控制信号施加外部谐振器的电极,可以容易且稳定地发射GHz。 |
申请日期 | 1986-07-30 |
专利号 | JP2533496B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1986177544 |
公开(公告)号 | JP2533496B2 |
IPC 分类号 | H01S5/06 | H01L | H01S | H01L27/15 | H01S5/026 | H01S3/16 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01S3/103 |
专利代理人 | 小川 勝男 (外1名) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47742 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社日立製作所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 宏明,坂野 伸治,辻 伸二,等. 光パルス発生器. JP2533496B2[P]. 1996-06-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2533496B2.PDF(25KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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