EL semiconductor device

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	EL semiconductor device
其他题名	EL semiconductor device
	KISHINO, KATSUMI; NOMURA, ICHIRO; ASATSUMA, TSUNENORI; TASAI, KUNIHIKO; TAMAMURA, KOSHI; NAKAJIMA, HIROSHI; NAKAMURA, HITOSHI; FUJISAKI, SUMIKO; KIKAWA, TAKESHI
	2011-03-01
专利权人	HITACHI, LTD.
公开日期	2011-03-01
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An n-type cladding layer structure which has good luminescence properties without the use of substances corresponding to RoHS Directive and a high Cl-doping efficiency, i.e. which facilitates the manufacture of a semiconductor optical element and device with low crystal defects and high reliability, and an active layer and a p-type cladding layer therefor are provided. The n-type layer being lattice matched to an InP substrate and containing Group II-VI compound as a main ingredient is a Group II-VI compound semiconductor, in which the Group II elements consist of Mg, Zn, and Be and the Group VI elements consist of Se and Te. The n-type layer of the present invention is characterized by a large energy gap, high energy of the bottom of a conduction band that is effective for suppressing the Type II luminescence, high carrier concentration, and low crystal defects attributed to a good quality crystallinity.
其他摘要	一种n型包覆层结构，其具有良好的发光性能而不使用符合RoHS指令的物质和高Cl-掺杂效率，即便于制造具有低晶体缺陷和高可靠性的半导体光学元件和器件，以及提供有源层和p型包层。与InP衬底晶格匹配并含有II-VI族化合物作为主要成分的n型层是II-VI族化合物半导体，其中II族元素由Mg，Zn和Be组成，VI族元素由Se和Te组成。本发明的n型层的特征在于具有大的能隙，导带底部的高能量，其有效抑制II型发光，高载流子浓度，以及归因于良好质量结晶度的低晶体缺陷。
申请日期	2008-02-27
专利号	US7899104
专利状态	失效
申请号	US12/038062
公开（公告）号	US7899104
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01L33/06 \| H01L33/28 \| H01L33/30
专利代理人	-
代理机构	ANTONELLI,TERRY,STOUT & KRAUS,LLP.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47709
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI, LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	KISHINO, KATSUMI,NOMURA, ICHIRO,ASATSUMA, TSUNENORI,et al. EL semiconductor device. US7899104[P]. 2011-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7899104.PDF（1092KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文