Photo semiconductor device having a multi-quantum well structure

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	Photo semiconductor device having a multi-quantum well structure
其他题名	Photo semiconductor device having a multi-quantum well structure
	NAKAMURA, HITOSHI; SAKANO, SHINJI; INOUE, HIROAKI; KATSUYAMA, TOSHIO; MATSUMURA, HIROYOSHI
	1989-06-20
专利权人	HITACHI CABLE, LTD.
公开日期	1989-06-20
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A multi-quantum well structure which is formed by laminating thin semiconductor layers is provided with means for injecting carriers in a direction which is parallel to the surface of the laminated thin semiconductor layers, whereby it is possible to obtain satisfactory changes in refractive index of the carrier injection portion. For example, if the total reflection region of an optical switch consisting of optical waveguides which cross each other is provided with a multi-quantum well structure wherein carriers are injected in a direction parallel to the surface of the well, the extinction ratio characteristics of the device can be improved.
其他摘要	通过层叠薄半导体层形成的多量子阱结构设置有用于沿与层叠的薄半导体层的表面平行的方向注入载流子的装置，由此可以获得令人满意的折射率变化。载体注入部分。例如，如果由彼此交叉的光波导组成的光开关的全反射区域设置有多量子阱结构，其中载流子沿平行于阱表面的方向注入，则消光比特性为设备可以改进。
申请日期	1987-09-09
专利号	US4840446
专利状态	失效
申请号	US07/094601
公开（公告）号	US4840446
IPC 分类号	G02F1/017 \| G02F1/01 \| G02F1/29 \| G02F1/015 \| G02F1/313 \| G02B6/12 \| G02F1/025 \| H01S5/00 \| G02F1/15
专利代理人	-
代理机构	ANTONELLI,TERRY & WANDS
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47672
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI CABLE, LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	NAKAMURA, HITOSHI,SAKANO, SHINJI,INOUE, HIROAKI,et al. Photo semiconductor device having a multi-quantum well structure. US4840446[P]. 1989-06-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US4840446.PDF（440KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文