半導体レーザアレイの操作方法

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	半導体レーザアレイの操作方法
其他题名	半導体レーザアレイの操作方法
	トーマス·エル·パオリ
	2001-11-16
专利权人	ゼロックス·コーポレーション
公开日期	2002-01-28
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【目的】モノリシックなレーザ·アレイにおけるレーザ間のサーマル·クロストークを最小にするための方法。【構成】 2個の光学的に結合された活性領域である増幅器領域56および変調器領域60をもって各レーザを形成し、刺激された放射がその中で生じるようなやり方で増幅器領域にバイアスをかけ、そして、レーザを変調するために変調器領域の電気的な状態を変動させることによって、サーマル·クロストークが減少される。レーザ出力の変調は、Q-スイッチングとして知られる、変調器領域の内部的な光学的損失を変動させるやり方で達成される。その一つの形式において、この損失のコントロールは、変調器領域に加えられる逆バイアス電圧を変動させることによって達成される。レーザについてのQ-スイッチ式の動作の結果として、その動作の間のレーザの冷却操作がもたらされる。
其他摘要	目的：提供一种方法，可以最大限度地减少单片激光器阵列中激光之间的热串扰。组成：每个激光器由放大器区域56和调制区域60形成，放大器区域56是由两个光耦合有源区域组成的有源区域，放大器区域56通过放大器区域中产生辐射的方法偏置。为了调制激光，通过改变调制器区域的电气条件来减少刺激和热串扰。可以通过改变调制器区域的内部光学损耗来实现激光输出的调制。作为上述实现的一种形式，可以通过改变施加到调制器区域的反向偏置电压来实现对上述损耗的控制，这被称为Q开关。作为与激光有关的Q开关系统操作的结果，可以获得在上述操作之间的激光器的冷却操作。
申请日期	1991-12-25
专利号	JP3251966B2
专利状态	失效
申请号	JP1991343628
公开（公告）号	JP3251966B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/026 \| H01S5/06 \| H01S5/40 \| H01S5/00 \| H01S5/34
专利代理人	小堀益
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47648
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ゼロックス·コーポレーション
推荐引用方式 GB/T 7714	トーマス·エル·パオリ. 半導体レーザアレイの操作方法. JP3251966B2[P]. 2001-11-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3251966B2.PDF（67KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文