High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage

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	High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage
其他题名	High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage
	BOTEZ, DAN; SHIN, JAE CHEOL
	2012-12-04
专利权人	WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
公开日期	2012-12-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Semiconductor structures and laser devices including the semiconductor structures are provided. The semiconductor structures have a quantum cascade laser (QCL) structure including an electron injector, an active region, and an electron extractor. The active region of the semiconductor structures includes a configuration of quantum wells and barriers that virtually suppresses electron leakage, thereby providing laser devices including such structures with superior electro-optical characteristics.
其他摘要	提供了包括半导体结构的半导体结构和激光器件。半导体结构具有量子级联激光器（QCL）结构，包括电子注入器，有源区和电子提取器。半导体结构的有源区包括量子阱和阻挡层的构造，其实际上抑制了电子泄漏，从而提供了包括具有优异电光特性的这种结构的激光器件。
申请日期	2010-08-12
专利号	US8325774
专利状态	授权
申请号	US12/855476
公开（公告）号	US8325774
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	BELL & MANNING,LLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47603
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
推荐引用方式 GB/T 7714	BOTEZ, DAN,SHIN, JAE CHEOL. High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage. US8325774[P]. 2012-12-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8325774.PDF（794KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文