Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
其他题名	Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
	CHUA, CHRISTOPHER L.; FLOYD, PHILIP D.; PAOLI, THOMAS L.; SUN, DECAI
	2003-04-15
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	2003-04-15
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A passive semiconductor device structure is made using planar lateral oxidation to define a buried oxidized semiconductor structure such as a passive waveguide, microlens or DBR mirror stack.
其他摘要	使用平面横向氧化制造无源半导体器件结构以限定掩埋的氧化半导体结构，例如无源波导，微透镜或DBR镜堆叠。
申请日期	1999-12-27
专利号	US6548908
专利状态	授权
申请号	US09/473108
公开（公告）号	US6548908
IPC 分类号	G02B6/132 \| G02B6/13 \| G02B6/136 \| B81B1/00 \| G02B6/12 \| H01S5/183 \| H01S5/22 \| H01S5/00 \| G02B6/122 \| H01L27/15 \| H01S5/223 \| H01L23/48 \| H01L23/52 \| H01L29/40
专利代理人	-
代理机构	CHEN, KENT M.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47599
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	CHUA, CHRISTOPHER L.,FLOYD, PHILIP D.,PAOLI, THOMAS L.,et al. Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices. US6548908[P]. 2003-04-15.