Semiconductor laser element, semiconductor laser device, and optical apparatus employing the same

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	Semiconductor laser element, semiconductor laser device, and optical apparatus employing the same
其他题名	Semiconductor laser element, semiconductor laser device, and optical apparatus employing the same
	KAMEYAMA, SHINGO; YUKAWA, HIROYUKI
	2013-10-22
专利权人	SANYO ELECTRIC CO., LTD.
公开日期	2013-10-22
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	This semiconductor laser element includes a semiconductor element layer including an active layer and having an emitting side cavity facet and a reflecting side cavity facet, and a facet coating film on a surface of the emitting side cavity facet. The facet coating film includes a photocatalytic layer arranged on an outermost surface of the facet coating film and a dielectric layer arranged between the photocatalytic layer and the emitting side cavity facet. A thickness of the dielectric layer is set to a thickness defined by m×λ/(2×n) (m is an integer), where a wavelength of a laser beam emitted from the active layer is λ and a refractive index of the dielectric layer is n, and at least 1 μm.
其他摘要	该半导体激光元件包括：半导体元件层，包括有源层并具有发射侧腔面和反射侧腔面;以及在发射侧腔面的表面上的刻面涂膜。小面涂膜包括布置在小面涂膜的最外表面上的光催化层和布置在光催化层和发射侧腔小面之间的介电层。介电层的厚度设定为由m×λ/（2×n）（m是整数）定义的厚度，其中从有源层发射的激光束的波长是λ和电介质的折射率层为n，并且至少为1μm。
申请日期	2011-09-14
专利号	US8565280
专利状态	授权
申请号	US13/232272
公开（公告）号	US8565280
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	DITTHAVONG MORI & STEINER, P.C.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47570
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	KAMEYAMA, SHINGO,YUKAWA, HIROYUKI. Semiconductor laser element, semiconductor laser device, and optical apparatus employing the same. US8565280[P]. 2013-10-22.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8565280.PDF（1823KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文