Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Strain balanced laser diode | |
| 其他题名 | Strain balanced laser diode |
| BHAT, RAJARAM; SIZOV, DMITRY S.; ZAH, CHUNG-EN | |
| 2013-01-22 | |
| 专利权人 | THORLABS QUANTUM ELECTRONICS, INC. |
| 公开日期 | 2013-01-22 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | According to the concepts of the present disclosure, laser diode waveguide configurations are contemplated where the use of Al in the waveguide layers of the laser is presented in the form of InGaN/Al(In)GaN waveguiding superstructure comprising optical confining wells (InGaN) and strain compensating barriers (Al(In)GaN). The composition of the optical confining wells is chosen such that they provide strong optical confinement, even in the presence of the Al(In)GaN strain compensating barriers, but do not absorb lasing emission. The composition of the strain compensating barriers is chosen such that the Al(In)GaN exhibits tensile strain that compensates for the compressive strain of InGaN optical confinement wells but does not hinder the optical confinement. |
| 其他摘要 | 根据本公开的概念，设想激光二极管波导配置，其中激光器的波导层中的Al的使用以包括光限制阱（InGaN）的InGaN / Al（In）GaN波导超结构的形式呈现，应变补偿势垒（Al（In）GaN）。选择光限制阱的组成，使得它们即使在存在Al（In）GaN应变补偿势垒的情况下也提供强的光限制，但是不吸收激光发射。选择应变补偿势垒的组成，使得Al（In）GaN显示出补偿InGaN光限制阱的压缩应变的拉伸应变，但不阻碍光限制。 |
| 申请日期 | 2011-02-17 |
| 专利号 | US8358673 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US13/029723 |
| 公开（公告）号 | US8358673 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | WATSON, BRUCE P. |
| 代理机构 | DINSMORE & SHOHL LLP |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47552 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | THORLABS QUANTUM ELECTRONICS, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BHAT, RAJARAM,SIZOV, DMITRY S.,ZAH, CHUNG-EN. Strain balanced laser diode. US8358673[P]. 2013-01-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US8358673.PDF（112KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论