AlGaInP-based semiconductor laser

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	AlGaInP-based semiconductor laser
其他题名	AlGaInP-based semiconductor laser
	HAGIMOTO, MASATO; FUKAI, HARUKI; KIYOSUMI, TSUTOMU; SASAKI, SHINJI; KAWANAKA, SATOSHI
	2016-08-23
专利权人	USHIO OPTO SEMICONDUCTORS, INC.
公开日期	2016-08-23
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)-based semiconductor laser device is provided. On a main surface of a semiconductor substrate formed of n-type GaAs (gallium arsenide), from the bottom layer, an n-type buffer layer, an n-type cladding layer formed of an AlGaInP-based semiconductor containing silicon (Si) as a dopant, an active layer, a p-type cladding layer formed of an AlGaInP-based semiconductor containing magnesium (Mg) or zinc (Zn) as a dopant, an etching stopper layer, and a p-type contact layer are formed. Here, when an Al composition ratio x of the AlGaInP-based semiconductor is taken as a composition ratio of Al and Ga defined as (AlxGa1−x)0.5In0.5P, a composition of the n-type cladding layer is expressed as (AlxnGa1−xn)0.5In0.5P (0.9
其他摘要	提供一种基于铝镓铟磷化物（AlGaInP）的半导体激光器件。在由n型GaAs（砷化镓）形成的半导体衬底的主表面上，从底层，n型缓冲层，由包含硅（Si）的AlGaInP基半导体形成的n型包覆层形成掺杂剂，有源层，由包含镁（Mg）或锌（Zn）作为掺杂剂的AlGaInP基半导体形成的p型包覆层，蚀刻停止层和p型接触层。这里，当将AlGaInP基半导体的Al组分比x作为Al和Ga的组成比定义为（Al x Ga 1-x ） 0.5 在 0.5 P中，n型包覆层的组成表示为（Al xn Ga 1-xn ） 0.5 在 0.5 P（0.9＆＃x3c; xn＆＃x3c; 1）中，p型包层的组成表示为（Al xp Ga 1-xp ） 0.5 在 0.5 P（0.9＆＃x3c;xp≤1），xn和xp满足xn＆＃x3c; xp的关系。
申请日期	2012-12-14
专利号	US9425583
专利状态	授权
申请号	US13/714508
公开（公告）号	US9425583
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/343 \| H01S5/30 \| B82Y20/00 \| H01S5/32 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/022
专利代理人	-
代理机构	HUBBS, ENATSKY & INOUE PLLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47520
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	USHIO OPTO SEMICONDUCTORS, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	HAGIMOTO, MASATO,FUKAI, HARUKI,KIYOSUMI, TSUTOMU,et al. AlGaInP-based semiconductor laser. US9425583[P]. 2016-08-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9425583.PDF（1073KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文