面発光素子とその製造方法

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	面発光素子とその製造方法
其他题名	面発光素子とその製造方法
	藤井元忠; 山本悌二; 繁田光浩; 武部敏彦; 小林規矩男; 藤本勲
	1995-08-23
专利权人	株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所
公开日期	1995-08-23
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】電流の閉じ込め用横方向p-n接合を用いた構造が簡単で製造が容易な面発光素子を提供することである。また、電流の閉じ込め用p-n接合を簡単に形成することができ、簡単なプロセスにより面発光素子を製造することができる面発光素子の製造方法を提供することである。【構成】 III-V族化合物半導体(111)A基板を用いた面発光素子である。III-V族化合物半導体(111)A基板は、その基板面に形成された正三角形状の領域とその周囲の領域との間に段差を有する。そして、このIII-V族化合物半導体(111)A基板上に、分子線エピタキシー (MBE)法によりSiドープIII-V族化合物半導体層を成長させることにより、III-V族化合物半導体(111)A基板の平坦面でp型の伝導型を有し、上記段差により形成される斜面上でn型の伝導型を有する電流閉じ込め用の横方向p-n接合を形成し、この横方向p-n接合で活性層を取り囲んでいる。
其他摘要	提供一种表面发光元件，其具有使用横向pn结的简单结构以限制电流并且易于制造。本发明的另一个目的是提供一种制造表面发射器件的方法，该表面发射器件能够容易地形成用于限制电流的pn结并且能够通过简单的工艺制造表面发射器件。一种使用III-V族化合物半导体（111）的基板的表面发光装置。 III-V族化合物半导体（111）衬底在衬底表面上形成的等边三角形区域与其周围区域之间具有台阶。然后，通过分子束外延（MBE）法在该III-V族化合物半导体（111）A衬底上生长Si掺杂的III-V族化合物半导体层，III-V族化合物半导体（111）A在基板的平坦表面上形成用于在由台阶形成的斜面上具有n型导电类型的电流限制的横向pn结，并且在有源层中形成横向pn结。它围绕着。
申请日期	1991-03-27
专利号	JP1995079183B2
专利状态	失效
申请号	JP1991063124
公开（公告）号	JP1995079183B2
IPC 分类号	H01S \| H01L33/14 \| H01L \| H01L33/10 \| H01S5/30 \| H01L21/203 \| H01L33/16 \| H01L33/24 \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01L33/30 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	青山葆 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47506
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	藤井元忠,山本悌二,繁田光浩,等. 面発光素子とその製造方法. JP1995079183B2[P]. 1995-08-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995079183B2.PDF（24KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文