Semiconductor light-emitting devices

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	Semiconductor light-emitting devices
其他题名	Semiconductor light-emitting devices
	SHIMOYAMA, KENJI; HOSOI, NOBUYUKI; FUJII, KATSUSHI; YAMAUCHI, ATSUNORI; GOTOH, HIDEKI; SATO, YOSHIHITO
	1998-09-22
专利权人	MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
公开日期	1998-09-22
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The present invention provides a semiconductor light-emitting device including a first clad layer comprising a first conductive type of AlGaAsP compound, a second clad layer that is located next to the first clad layer, comprises a first conductive type of AlGaInP compound and has a thickness of up to 0.5 mu m, an active layer that is located next to the second clad layer and comprises a first or second conductive type AlGaInP or GaInP, a third clad layer that is located next to the active layer, comprises a second conductive type of AlGaInP compound and has a thickness of up to 0.5 mu m, and a fourth clad layer that is located next to the third clad layer and comprises a second conductive type of AlGaAsP compound, and/or a light-extracting layer that comprises a second conductive type AlGaP or GaP and has a thickness of 1 mu m to 100 mu m.
其他摘要	本发明提供一种半导体发光装置，包括：第一包层，包括第一导电类型的AlGaAsP化合物;第二包层，位于第一包层旁边，包括第一导电类型的AlGaInP化合物，并且具有厚度高达0.5微米，有源层位于第二包层旁边并包括第一或第二导电类型AlGaInP或GaInP，第三包层位于有源层旁边，包括第二导电类型AlGaInP化合物，厚度最大为0.5μm，第四包层位于第三包层旁边，包括第二导电类型的AlGaAsP化合物，和/或包含第二导电层的光提取层AlGaP或GaP型，厚度为1μm至100μm。
申请日期	1995-08-31
专利号	US5811839
专利状态	失效
申请号	US08/521980
公开（公告）号	US5811839
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01S5/32 \| H01L33/30 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47485
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIMOYAMA, KENJI,HOSOI, NOBUYUKI,FUJII, KATSUSHI,et al. Semiconductor light-emitting devices. US5811839[P]. 1998-09-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5811839.PDF（99KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文