Buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser diodes using impurity induced layer disordering (IILD) via a buried impurity source

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	Buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser diodes using impurity induced layer disordering (IILD) via a buried impurity source
其他题名	Buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser diodes using impurity induced layer disordering (IILD) via a buried impurity source
	FLOYD, PHILIP D.
	2001-05-29
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	2001-05-29
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The barrier layers within a quantum well active region of a vertical cavity surface emitting laser can be silicon doped. Under thermal annealing, the silicon doped barrier layers will form disordered regions of the quantum well active region around the remaining non-disordered regions of the quantum well active region. The disordered regions of the quantum well active region will prevent diffusion of injected carriers from the non-disordered, light emitting quantum well active region.
其他摘要	垂直腔表面发射激光器的量子阱有源区内的阻挡层可以是硅掺杂的。在热退火下，硅掺杂的势垒层将在量子阱有源区的剩余非无序区域周围形成量子阱有源区的无序区域。量子阱有源区的无序区域将阻止注入的载流子从非无序的发光量子阱有源区域扩散。
申请日期	1999-12-21
专利号	US6238944
专利状态	授权
申请号	US09/471746
公开（公告）号	US6238944
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S5/20 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	PROPP, WILLIAM
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47477
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	FLOYD, PHILIP D.. Buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser diodes using impurity induced layer disordering (IILD) via a buried impurity source. US6238944[P]. 2001-05-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6238944.PDF（528KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文