半導体レ-ザ-

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	半導体レ-ザ-
其他题名	半導体レ-ザ-
	池田昌夫; 森芳文
	1994-04-27
专利权人	SONY CORP
公开日期	1994-04-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enlarge the energy band for the realization of a laser device capable of stabilized shortwave emission by a method wherein a lattice constant transition layer incorporating super lattice is provided on a GaAs substrate allowing the quantity to be reduced of Al to be added to an activation layer and clad layer. CONSTITUTION:On a GaAs substrate 11 of a first conductivity type, a lattice constant transition layer 12 composed of super lattice is formed, which is followed by the formation of a clad layer 13, similar to the substrate 1 in the type of conductivity, activation layer 14, and a second clad layer 15 are epitaxially formed. The activation layer 14, and the clad layers 13, 15 are constituted of (AlxGa1-x)yIn1-yP, where the quantity (x) should be chosen to satisfy 0<=x The quantity (x) in the first and second clad layers 13, 15 should be larger than that in the activation layer 14. This allows the addition to be reduced of Al to an activation layer 3, increasing the energy band and realizing shortwave emission in the vicinity of 580nm. Furthermore, addition may be reduce of Al to the first and second clad layers 13, 15, which contributes to the enhancement of electrical and optical stability.
其他摘要	目的：通过一种方法扩大能量带，以实现能够稳定短波发射的激光器件，其中在GaAs衬底上提供包含超晶格的晶格常数过渡层，允许将Al的减少量添加到活化层和包层。组成：在第一导电类型的GaAs衬底11上，形成由超晶格组成的晶格常数过渡层12，然后形成包层13，类似于导电类型的基板1，激活层14和外延形成第二包层15。激活层14和包层13,15由（AlxGa1-x）yIn1-yP构成，其中量（x）应选择为满足0≤x1。第一和第二包层13,15中的量（x）应该大于活化层14中的量。这允许将Al的加入减少到活化层3，增加能带并实现短波发射。附近有580nm。此外，添加可以减少Al到第一和第二包层13,15，这有助于提高电学和光学稳定性。
申请日期	1984-09-20
专利号	JP1994032334B2
专利状态	失效
申请号	JP1984197318
公开（公告）号	JP1994032334B2
IPC 分类号	H01S \| H01L \| H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	松隈秀盛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47441
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	池田昌夫,森芳文. 半導体レ-ザ-. JP1994032334B2[P]. 1994-04-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994032334B2.PDF（35KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文