Type II mid-infrared quantum well laser

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	Type II mid-infrared quantum well laser
其他题名	Type II mid-infrared quantum well laser
	CALCOTT, PHILIP DOUGLAS JOHN
	2007-10-09
专利权人	FLIR SYSTEMS TRADING BELGIUM
公开日期	2007-10-09
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A mid-infrared emitting indirect bandgap quantum well semiconductor laser with an optical waveguide structure having an active waveguide core. The active waveguide core comprises at least one repetition of a sub-region comprising in the following order a first wide bandgap layer, a first conduction band layer of InAs, a valence band layer of Ga(1-x)InxSb where x≧0.7, preferably of InSB (ie. x=1), having a thickness of less than 15 Angstroms, a second conduction band layer of InAs and a second wide bandgap barrier layer. The barrier layers co-operate to provide electrical confinement for the carriers within the intervening conduction band and valence band layers and optical confinement in the active core region is provided by the optical waveguide structure.
其他摘要	一种中红外发射间接带隙量子阱半导体激光器，具有带有源波导芯的光波导结构。有源波导芯包括至少一个子区域的重复，该子区域按以下顺序包括第一宽带隙层，InAs的第一导带层，Ga（1-x）InxSb的价带层，其中x≥0.7，优选地，InSB（即，x = 1），具有小于15埃的厚度，InAs的第二导带层和第二宽带隙阻挡层。阻挡层协作以在中间导带和价带层内为载流子提供电限制，并且由光波导结构提供有源芯区域中的光学限制。
申请日期	2002-09-10
专利号	US7280576
专利状态	授权
申请号	US10/489238
公开（公告）号	US7280576
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	MCDONNELL BOEHNEN HULBERT & BERGHOFF LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47410
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FLIR SYSTEMS TRADING BELGIUM
推荐引用方式 GB/T 7714	CALCOTT, PHILIP DOUGLAS JOHN. Type II mid-infrared quantum well laser. US7280576[P]. 2007-10-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7280576.PDF（82KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文