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Distributed bragg reflector laser and fabrication method
其他题名Distributed bragg reflector laser and fabrication method
KAMATH, KISHMORE K.
2004-08-31
专利权人PROVENANCE ASSET GROUP LLC
公开日期2004-08-31
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A distributed Bragg reflector laser is fabricated wherein material defects are produced in the laser's tuning waveguide region. The defects may be created by introducing impurities into the region. The defects increase the non-radiative recombination rate of injected carriers, thereby decreasing FM efficiency and improving RF performance. Injected carrier electrons are substantially separated from injected carrier holes to reduce bimolecular and Auger recombination rates, thus improving tuning range.
其他摘要制造分布式布拉格反射器激光器,其中在激光器的调谐波导区域中产生材料缺陷。可以通过将杂质引入该区域来产生缺陷。这些缺陷增加了注入载流子的非辐射复合率,从而降低了FM效率并改善了RF性能。注入的载流子电子基本上与注入的载流子孔分离,以降低双分子和俄歇复合速率,从而改善调谐范围。
申请日期2003-01-16
专利号US6785313
专利状态授权
申请号US10/345581
公开(公告)号US6785313
IPC 分类号H01S5/0625 | H01S5/00
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47306
专题半导体激光器专利数据库
作者单位PROVENANCE ASSET GROUP LLC
推荐引用方式
GB/T 7714
KAMATH, KISHMORE K.. Distributed bragg reflector laser and fabrication method. US6785313[P]. 2004-08-31.
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