桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法

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	桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
其他题名	桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
	关宝璐; 郭霞; 任秀娟; 李硕; 李川川; 郝聪霞
	2012-06-13
专利权人	北京工业大学
公开日期	2012-06-13
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)、铝砷化镓层(2b)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8a)、n型砷化镓层(8b)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，纳米光栅(15)位于砷化镓层(2a)表面之上。由于空气隙层的厚度可以通过静电力等机械调整，因此使得激光器谐振腔内部传输光子相位变化，同时输出的光束经过纳米光栅(15)，从而实现波长和偏振的同时控制。
其他摘要	基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)、铝砷化镓层(2b)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8a)、n型砷化镓层(8b)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，纳米光栅(15)位于砷化镓层(2a)表面之上。由于空气隙层的厚度可以通过静电力等机械调整，因此使得激光器谐振腔内部传输光子相位变化，同时输出的光束经过纳米光栅(15)，从而实现波长和偏振的同时控制。
申请日期	2010-10-29
专利号	CN102013633B
专利状态	失效
申请号	CN20101053238X
公开（公告）号	CN102013633B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/068 \| H01S5/343
专利代理人	吴荫芳
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47159
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,郭霞,任秀娟,等. 桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN102013633B[P]. 2012-06-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102013633B.PDF（590KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文