Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法 |
| 山本圭; 中村淳一 | |
| 2009-07-08 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2009-07-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 在使未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。 |
| 其他摘要 | 在使未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。 |
| 申请日期 | 2007-07-11 |
| 专利号 | CN100511590C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200710182153.2 |
| 公开（公告）号 | CN100511590C |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/343 | C30B25/14 | C30B31/16 |
| 专利代理人 | 彭久云 | 葛青 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47151 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本圭,中村淳一. 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法. CN100511590C[P]. 2009-07-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100511590C.PDF（1406KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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