III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

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	III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法
其他题名	III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法
	高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
	2014-10-15
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2014-10-15
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
其他摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
申请日期	2010-11-12
专利号	CN102668282B
专利状态	失效
申请号	CN201080059085.0
公开（公告）号	CN102668282B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47107
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	高木慎平,善积祐介,片山浩二,等. III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法. CN102668282B[P]. 2014-10-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102668282B.PDF（4465KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文