一种半导体激光器芯片测试固定装置

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	一种半导体激光器芯片测试固定装置
其他题名	一种半导体激光器芯片测试固定装置
	李秀山; 王贞福; 杨国文
	2016-11-30
专利权人	中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期	2016-11-30
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提出一种半导体激光器芯片测试固定装置，能够避免对芯片输出特性的影响，并提高芯片的散热效果。该半导体激光器芯片测试固定装置中，绝缘导热材质的芯片载体平台的上表面设置有间隔排列的多条金属膜，金属膜的长度方向与待测芯片的发光单元腔长方向平行；每一条金属膜作为一个独立的P面供电电极，相应固定有单独的供电接触头；在相邻P面供电电极之间平行开设有条形的真空吸附孔，真空吸附孔贯通芯片载体平台的上下表面，所有真空吸附孔均与真空吸附装置的内气路孔道相通；所述N面供电电极为一个整体的电极，下表面平整光滑，使其能够与待测芯片的N面电极完全贴合。
其他摘要	本实用新型提出一种半导体激光器芯片测试固定装置，能够避免对芯片输出特性的影响，并提高芯片的散热效果。该半导体激光器芯片测试固定装置中，绝缘导热材质的芯片载体平台的上表面设置有间隔排列的多条金属膜，金属膜的长度方向与待测芯片的发光单元腔长方向平行；每一条金属膜作为一个独立的P面供电电极，相应固定有单独的供电接触头；在相邻P面供电电极之间平行开设有条形的真空吸附孔，真空吸附孔贯通芯片载体平台的上下表面，所有真空吸附孔均与真空吸附装置的内气路孔道相通；所述N面供电电极为一个整体的电极，下表面平整光滑，使其能够与待测芯片的N面电极完全贴合。
主权项	一种半导体激光器芯片测试固定装置，包括芯片载体平台、真空吸附装置、温度控制装置、P面供电电极和N面供电电极，芯片载体平台的下表面与真空吸附装置贴合，所述温度控制装置经真空吸附装置对芯片载体平台传导散热；芯片载体平台或者真空吸附装置还设置有温度探测孔；其特征在于：所述芯片载体平台为绝缘导热材质，在芯片载体平台的上表面设置有间隔排列的多条金属膜，金属膜的长度方向与待测芯片的发光单元腔长方向平行；每一条金属膜作为一个独立的P面供电电极，用于与待测芯片单个发光单元的P面电极对应完全贴合，每一条金属膜上相应固定有单独的供电接触头；在相邻P面供电电极之间平行开设有条形的真空吸附孔，真空吸附孔贯通芯片载体平台的上下表面，所有真空吸附孔均与真空吸附装置的内气路孔道相通；所述N面供电电极为一个整体的电极，位于P面供电电极的上方，并避开相应供电接触头所处位置，N面供电电极的下表面平整光滑，使其能够与待测芯片的N面电极完全贴合。
申请日期	2015-12-30
专利号	CN205749798U
专利状态	失效
申请号	CN201521132674.3
公开（公告）号	CN205749798U
IPC 分类号	G01R31/26
专利代理人	胡乐
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46781
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李秀山,王贞福,杨国文. 一种半导体激光器芯片测试固定装置. CN205749798U[P]. 2016-11-30.

条目包含的文件
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CN205749798U.PDF（232KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文