一種以矽擴散型電流阻擋層製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件的方法

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	一種以矽擴散型電流阻擋層製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件的方法
其他题名	一種以矽擴散型電流阻擋層製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件的方法
	葉秉慧; 余孟純; 林家煥; 黃景勤
	2016-12-21
专利权人	國立臺灣科技大學
公开日期	2016-12-21
授权国家	中国台湾
专利类型	授权发明
摘要	本發明揭露一種以矽擴散型電流阻擋層(silicon-diffusion defined current blocking layer)製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件，包括垂直共振腔面射型雷射(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL) 與共振腔發光二極體(resonant-cavity light emitting diode, RCLED)之方法。使表層有矽擴散區域的P型氮化鎵特性轉換成N型氮化鎵，藉此達到電流侷限效果，並保持元件表面平坦，維持後續的光學鍍膜品質。可有效縮小光模直徑，顯著降低發光二極體的半功率角(half-power angle)，預期可以產生單橫模(single transverse mode)發光的垂直共振腔面射型雷射。
其他摘要	本發明揭露一種以矽擴散型電流阻擋層(silicon-diffusion defined current blocking layer)製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件，包括垂直共振腔面射型雷射(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL) 與共振腔發光二極體(resonant-cavity light emitting diode, RCLED)之方法。使表層有矽擴散區域的P型氮化鎵特性轉換成N型氮化鎵，藉此達到電流侷限效果，並保持元件表面平坦，維持後續的光學鍍膜品質。可有效縮小光模直徑，顯著降低發光二極體的半功率角(half-power angle)，預期可以產生單橫模(single transverse mode)發光的垂直共振腔面射型雷射。
主权项	-
申请日期	2014-12-24
专利号	TWI563756B
专利状态	申请中
申请号	TW103145138
公开（公告）号	TWI563756B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01L21/02
专利代理人	林金東
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46777
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	國立臺灣科技大學
推荐引用方式 GB/T 7714	葉秉慧,余孟純,林家煥,等. 一種以矽擴散型電流阻擋層製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件的方法. TWI563756B[P]. 2016-12-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TWI563756B.PDF（1398KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文