背光PIN光电二极管

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	背光PIN光电二极管
其他题名	背光PIN光电二极管
	秦龙; 唐琦
	2012-08-29
专利权人	武汉华工正源光子技术有限公司
公开日期	2012-08-29
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种背光PIN光电二极管，包括在n型掺杂的InP衬底上依次外延生长n型掺杂的InP缓冲层、非故意掺杂InGaAs吸收层、非故意掺杂InP帽层、非故意掺杂InGaAs欧姆接触层，基于MOCVD外延方式实现Zn扩散，对InGaAs欧姆接触层和InP帽层进行p型掺杂，p型电极通过溅射的方式溅射钛、铂、金，所述p型电极由PN扩散结面向内扩展覆盖p型掺杂区，本实用新型有效降低了非故意掺杂区可接受到的激光二极管背面发光强度，极大程度上降低了p-n界面非耗尽区产生的光生载流子数量，减少了p-n结界面非故意掺杂区产生光电流而引起的延时，有效抑制了Tx-SD应用中激光器停止发光后背光PIN光电二极管响应电流的拖尾现象。
其他摘要	本实用新型公开了一种背光PIN光电二极管，包括在n型掺杂的InP衬底上依次外延生长n型掺杂的InP缓冲层、非故意掺杂InGaAs吸收层、非故意掺杂InP帽层、非故意掺杂InGaAs欧姆接触层，基于MOCVD外延方式实现Zn扩散，对InGaAs欧姆接触层和InP帽层进行p型掺杂，p型电极通过溅射的方式溅射钛、铂、金，所述p型电极由PN扩散结面向内扩展覆盖p型掺杂区，本实用新型有效降低了非故意掺杂区可接受到的激光二极管背面发光强度，极大程度上降低了p-n界面非耗尽区产生的光生载流子数量，减少了p-n结界面非故意掺杂区产生光电流而引起的延时，有效抑制了Tx-SD应用中激光器停止发光后背光PIN光电二极管响应电流的拖尾现象。
主权项	一种背光PIN光电二极管，包括在n型掺杂的InP衬底上依次外延生长n型掺杂的InP缓冲层、非故意掺杂InGaAs吸收层、非故意掺杂InP帽层、非故意掺杂InGaAs欧姆接触层， p型电极通过溅射的方式溅射钛、铂、金，其特征在于，所述p型电极由PN扩散结面向内扩展覆盖p型掺杂区。
申请日期	2011-10-31
专利号	CN202405297U
专利状态	授权
申请号	CN201120422369.3
公开（公告）号	CN202405297U
IPC 分类号	H01L31/105 \| H01L31/0224 \| H01S5/026
专利代理人	秦士魁
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46696
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉华工正源光子技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	秦龙,唐琦. 背光PIN光电二极管. CN202405297U[P]. 2012-08-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN202405297U.PDF（282KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文