Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器芯片焊接面表征方法及装置 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器芯片焊接面表征方法及装置 |
| 不公告发明人 | |
| 2017-01-04 | |
| 专利权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 公开日期 | 2017-01-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明设计了一种半导体激光器封装器件芯片焊接面表征方法及装置，该装置能够通过无损方法表征半导体激光器芯片焊接面存在的空洞，能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征，对于提高半导体激光器性能和焊接回流工艺，以及实现无空洞封装具有非常重要的现实意义。 |
| 其他摘要 | 本发明设计了一种半导体激光器封装器件芯片焊接面表征方法及装置，该装置能够通过无损方法表征半导体激光器芯片焊接面存在的空洞，能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征，对于提高半导体激光器性能和焊接回流工艺，以及实现无空洞封装具有非常重要的现实意义。 |
| 主权项 | 一种半导体激光器芯片焊接面表征方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）向半导体激光器提供脉冲电流，超过半导体激光器的阈值电流，使电流稳定在 I0； （2）采集半导体激光器各个发光单元的空间光谱S0，并记录每一个发光单元的基准波长λ0； （3）向半导体激光器提供连续电流 I0； （4）采集半导体激光器各个发光单元的空间光谱S1，并记录每一个发光单元的波长λ1； （5）比较S1和S0，即分别比较每一个发光单元的波长λ1和基准波长λ0之间的差值△λ，从而获得各个发光单元下方的连接界面空洞分布； （6）在确保电流I0大于半导体激光器阈值电流的前提下，改变电流I0值大小，重复步骤(1)~(5)，对所得结果进行加权平均，获得半导体激光器连接层界面空洞分布。 |
| 申请日期 | 2014-10-14 |
| 专利号 | CN104267036B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410538207 |
| 公开（公告）号 | CN104267036B |
| IPC 分类号 | G01N21/88 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46668 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 不公告发明人. 一种半导体激光器芯片焊接面表征方法及装置. CN104267036B[P]. 2017-01-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104267036B.PDF（153KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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