一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路

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	一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路
其他题名	一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路
	江果; 楚梁; 潘奇
	2017-08-15
专利权人	武汉万集信息技术有限公司
公开日期	2017-08-15
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路，属于半导体激光器技术领域。其组成部分包括：两路可编程纳秒延时控制脉冲、两路功率场效应晶体管驱动电路、一个激光二极管、两个功率场效应晶体管、一个储能电感组成的充电回路、一个储能电容组成的充放电回路。本实用新型采用双脉冲独立控制充电回路和放电回路的导通和关闭，提高了脉冲激光器的发光稳定性，避免了激光二极管二次发光的可能性。本实用新型应用于激光脉冲测距系统，可编程纳秒延时控制脉冲通过双脉冲驱动解决了激光在单脉冲测距方式下由于激光二极管二次发光导致的回波信号计时误差过大的问题，有效的提高了脉冲激光器对目标的测距精度，具有成本低、集成化程度高的优点。
其他摘要	本实用新型公开了一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路，属于半导体激光器技术领域。其组成部分包括：两路可编程纳秒延时控制脉冲、两路功率场效应晶体管驱动电路、一个激光二极管、两个功率场效应晶体管、一个储能电感组成的充电回路、一个储能电容组成的充放电回路。本实用新型采用双脉冲独立控制充电回路和放电回路的导通和关闭，提高了脉冲激光器的发光稳定性，避免了激光二极管二次发光的可能性。本实用新型应用于激光脉冲测距系统，可编程纳秒延时控制脉冲通过双脉冲驱动解决了激光在单脉冲测距方式下由于激光二极管二次发光导致的回波信号计时误差过大的问题，有效的提高了脉冲激光器对目标的测距精度，具有成本低、集成化程度高的优点。
主权项	一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路，其特征在于,包括：两路可编程纳秒延时控制脉冲、两路功率场效应晶体管驱动电路、激光二极管D1、功率场效应晶体管Q1、功率场效应晶体管Q2、储能电感L1组成的充电回路、储能电容C1组成的放电回路；其中：两路可编程纳秒延时控制脉冲与功率场效应晶体管驱动电路连接，可为功率场效应晶体管提供精确地延时导通时间；功率场效应晶体管驱动电路与功率场效应晶体管Q1、功率场效应晶体管Q2连接，可为功率场效应晶体管提供快速的导通上升沿和较大的导通电压；功率场效应晶体管Q1的漏级和储能电感L1相连，源极接地，储能电感L1组成的充电回路通过功率场效应晶体管Q1控制充电；功率场效应晶体管Q2的漏级和储能电容C1相连，源级接地，储能电容C1组成的充放电回路通过功率场效应晶体管Q2控制放电。
申请日期	2016-12-01
专利号	CN206412630U
专利状态	授权
申请号	CN201621312035.X
公开（公告）号	CN206412630U
IPC 分类号	H01S5/042
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46626
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉万集信息技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	江果,楚梁,潘奇. 一种双脉冲控制的半导体激光器驱动电路. CN206412630U[P]. 2017-08-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN206412630U.PDF（249KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文