表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法

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	表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法
其他题名	表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法
	关宝璐; 王强; 刘欣; 江孝伟; 马昀骅
	2016-04-06
专利权人	北京工业大学
公开日期	2016-04-06
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。
其他摘要	表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。
主权项	表面液晶-垂直腔面发射激光器，其特征在于，该器件结构包括垂直腔面发射激光器，带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒三部分，其中，垂直腔面发射激光器结构从下到上依次为：N型背面电极(12)、底部GaAs衬底(11)、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR(10)、有源区(9)、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR(8)，其中，上DBR(8)为凸台结构，凸台结构的凸出部位中含有氧化限制层(13)，所述的氧化限制层(13)平行上DBR(8)台面，氧化限制层(13)四周氧化而中心未氧化，中心未氧化部分形成出光孔；上DBR(8)凸出部位的中心位置上为调谐电极(2)，调谐电极(2)正对且大于氧化限制层(13)的出光孔，上DBR(8)凸台结构的上台面除调谐电极(2)外、侧面、下台面均为保持凸台结构的SiO2绝缘层(7)，SiO2绝缘层(7)的下台面、侧面及上台面自内而外依次均为P型注入电极(6)和衬垫(4)，其中P型注入电极(6)搭接在调谐电极(2)上，P型注入电极(6)和衬垫(4)在调谐电极(2)上方的位置均为缺失部分，缺失部分正对且大于上DBR(8)凸台结构的出光孔，在P型注入电极(6)缺失部位的调谐电极(2)上为取向膜(3)，P型注入电极(6)和衬垫(4)的缺失部分与取向膜(3)构成槽体；在槽体与衬垫(4)的正上面为带有取向膜的ITO玻璃结构，槽体成为液晶盒，带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为：取向膜、调谐电极和玻璃；液晶盒中贮存有液晶(5)。
申请日期	2013-11-18
专利号	CN103618211B
专利状态	授权
申请号	CN201310577046.5
公开（公告）号	CN103618211B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/062 \| H01S5/06
专利代理人	张慧
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46518
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,王强,刘欣,等. 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN103618211B[P]. 2016-04-06.

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CN103618211B.PDF（953KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文